SI5485DU-T1-E3
Numéro de produit du fabricant:

SI5485DU-T1-E3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI5485DU-T1-E3-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
Description détaillée:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single

Inventaire:

12914056
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SOUMETTRE

SI5485DU-T1-E3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1100 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® ChipFET™ Single
Emballage / Caisse
PowerPAK® ChipFET™ Single
Numéro de produit de base
SI5485

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SI5485DU-T1-E3DKR
SI5485DU-T1-E3CT
SI5485DUT1E3
SI5485DU-T1-E3TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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