Numéro de produit du fabricant:
SI5475DC-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI5475DC-T1-E3-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
Description détaillée:
P-Channel 12 V 5.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventaire:
12915070
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SOUMETTRE
SI5475DC-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 1mA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
1206-8 ChipFET™
Emballage / Caisse
8-SMD, Flat Lead
Numéro de produit de base
SI5475
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RT1A050ZPTR
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
7984
NUMÉRO DE PIÈCE
RT1A050ZPTR-DG
PRIX UNITAIRE
0.33
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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