SI4967DY-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SI4967DY-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI4967DY-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 12V 2W Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

12920062
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SOUMETTRE

SI4967DY-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
12V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
-
rds activé (max) @ id, vgs
23mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
SI4967

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
SI9933CDY-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
26680
NUMÉRO DE PIÈCE
SI9933CDY-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.18
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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