Numéro de produit du fabricant:
SI4922BDY-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4922BDY-T1-E3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
13914 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12915014
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SOUMETTRE
SI4922BDY-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2070pF @ 15V
Puissance - Max
3.1W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
SI4922
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4922BDY-T1-E3DKR
SI4922BDY-T1-E3TR
SI4922BDYT1E3
SI4922BDY-T1-E3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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