Numéro de produit du fabricant:
SI4916DY-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4916DY-T1-E3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12959885
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SOUMETTRE
SI4916DY-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
LITTLE FOOT®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A, 10.5A
rds activé (max) @ id, vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
3.3W, 3.5W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
SI4916
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4916DYT1E3
SI4916DY-T1-E3DKR
SI4916DY-T1-E3TR
SI4916DY-T1-E3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4816BDY-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4816BDY-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.63
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SH8KA4TB
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
41573
NUMÉRO DE PIÈCE
SH8KA4TB-DG
PRIX UNITAIRE
0.31
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
SQJ740EP-T1_GE3
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SIA923EDJ-T1-GE3
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