SI4816BDY-T1-E3
Numéro de produit du fabricant:

SI4816BDY-T1-E3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI4816BDY-T1-E3-DG

Description:

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

12917949
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SI4816BDY-T1-E3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
LITTLE FOOT®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.8A, 8.2A
rds activé (max) @ id, vgs
18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
1W, 1.25W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
SI4816

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4816BDY-T1-E3DKR
SI4816BDYT1E3
SI4816BDY-T1-E3CT
SI4816BDY-T1-E3TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRL6372TRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
13964
NUMÉRO DE PIÈCE
IRL6372TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.31
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3033LSDQ-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
2403
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3033LSDQ-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.18
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SI4804BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

vishay-siliconix

SQJ260EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8

vishay-siliconix

SIZ322DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33

vishay-siliconix

SQJ962EP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8