SI4774DY-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SI4774DY-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI4774DY-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 30 V 16A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

12920101
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SOUMETTRE

SI4774DY-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
SkyFET®, TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1025 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max.)
5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI4774

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4774DY-T1-GE3TR
SI4774DY-T1-GE3CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRF7821TRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
16602
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF7821TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.37
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4686DY-T1-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
7223
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4686DY-T1-E3-DG
PRIX UNITAIRE
0.47
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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