Numéro de produit du fabricant:
SI4466DY-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4466DY-T1-E3-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 20 V 9.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12917340
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SOUMETTRE
SI4466DY-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
9mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI4466
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4466DYT1E3
SI4466DY-T1-E3DKR
SI4466DY-T1-E3TR
SI4466DY-T1-E3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2009LSS-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
1816
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2009LSS-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.22
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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