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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
SI4403CDY-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4403CDY-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Description détaillée:
P-Channel 20 V 13.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
20690 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12912563
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SOUMETTRE
SI4403CDY-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2380 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI4403
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
SI4403CDY-T1-GE3-DG
Fiches techniques
SI4403CDY-T1-GE3
Dessins de produits
SOIC(N):8 Package Drawing
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4403CDY-T1-GE3TR
SI4403CDY-T1-GE3-DG
SI4403CDY-T1-GE3CT
SI4403CDY-T1-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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