Numéro de produit du fabricant:
SI4190ADY-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4190ADY-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 100 V 18.4A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12919218
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SOUMETTRE
SI4190ADY-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1970 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 6W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI4190
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4190ADY-T1-GE3DKR
SI4190ADY-T1-GE3TR
SI4190ADYT1GE3
SI4190ADY-T1-GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RS3L045GNGZETB
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
1173
NUMÉRO DE PIÈCE
RS3L045GNGZETB-DG
PRIX UNITAIRE
0.25
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
RS1L145GNTB
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
1003
NUMÉRO DE PIÈCE
RS1L145GNTB-DG
PRIX UNITAIRE
0.81
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
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