Numéro de produit du fabricant:
SI4178DY-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4178DY-T1-E3-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12917479
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SOUMETTRE
SI4178DY-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
21mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
405 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.4W (Ta), 5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI4178
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4178DY-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2375
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4178DY-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.18
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
CWDM3011N TR13 PBFREE
FABRICANT
Central Semiconductor Corp
QUANTITÉ DISPONIBLE
2748
NUMÉRO DE PIÈCE
CWDM3011N TR13 PBFREE-DG
PRIX UNITAIRE
0.17
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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