Numéro de produit du fabricant:
SI4151DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4151DY-T1-GE3-DG
Description:
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Description détaillée:
P-Channel 30 V 15.2A (Ta), 20.5A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
4459 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12976042
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SOUMETTRE
SI4151DY-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3250 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
742-SI4151DY-T1-GE3DKR
742-SI4151DY-T1-GE3CT
742-SI4151DY-T1-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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