Numéro de produit du fabricant:
SI4114DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4114DY-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 20 V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
157034 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12914768
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SI4114DY-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3700 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI4114
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4114DY-T1-GE3TR
SI4114DYT1GE3
SI4114DY-T1-GE3CT
SI4114DY-T1-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFU014
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
IXTA90N15T
MOSFET N-CH 150V 90A TO263
SI3415-TP
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
