Numéro de produit du fabricant:
SI3585DV-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI3585DV-T1-E3-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 2A, 1.5A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Inventaire:
12917414
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SOUMETTRE
SI3585DV-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A, 1.5A
rds activé (max) @ id, vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
830mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Numéro de produit de base
SI3585
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI3585DV-T1-E3CT
SI3585DV-T1-E3DKR
SI3585DVT1E3
SI3585DV-T1-E3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC6327C
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
6259
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC6327C-DG
PRIX UNITAIRE
0.15
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SI3585CDV-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
13694
NUMÉRO DE PIÈCE
SI3585CDV-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.14
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
BSL215CH6327XTSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
23807
NUMÉRO DE PIÈCE
BSL215CH6327XTSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.17
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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