SI3529DV-T1-E3
Numéro de produit du fabricant:

SI3529DV-T1-E3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI3529DV-T1-E3-DG

Description:

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6TSOP
Description détaillée:
Mosfet Array 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP

Inventaire:

12915565
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SOUMETTRE

SI3529DV-T1-E3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
40V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A, 1.95A
rds activé (max) @ id, vgs
125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
205pF @ 20V
Puissance - Max
1.4W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Numéro de produit de base
SI3529

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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