Numéro de produit du fabricant:
SI3475DV-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI3475DV-T1-E3-DG
Description:
MOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOP
Description détaillée:
P-Channel 200 V 950mA (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventaire:
12912637
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SOUMETTRE
SI3475DV-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
950mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.61Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
500 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
SI3475
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI3475DV-T1-E3DKR
SI3475DV-T1-E3TR
SI3475DV-T1-E3CT
SI3475DVT1E3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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