SI3447CDV-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SI3447CDV-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI3447CDV-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
Description détaillée:
P-Channel 12 V 7.8A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventaire:

12915473
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SOUMETTRE

SI3447CDV-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
36mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
910 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
SI3447

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SI3447CDV-T1-GE3CT
SI3447CDV-T1-GE3DKR
SI3447CDVT1GE3
SI3447CDV-T1-GE3TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
SI3493DDV-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SI3493DDV-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.07
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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