SI3443BDV-T1-E3
Numéro de produit du fabricant:

SI3443BDV-T1-E3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI3443BDV-T1-E3-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Description détaillée:
P-Channel 20 V 3.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Inventaire:

6988 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12911580
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SOUMETTRE

SI3443BDV-T1-E3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
SI3443

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SI3443BDV-T1-E3TR
SI3443BDV-T1-E3DKR
SI3443BDV-T1-E3CT
SI3443BDVT1E3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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