Numéro de produit du fabricant:
SI3407DV-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI3407DV-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Description détaillée:
P-Channel 20 V 8A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventaire:
8982 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12912834
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SI3407DV-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1670 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
SI3407
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI3407DV-T1-GE3CT
SI3407DV-T1-GE3DKR
SI3407DV-T1-GE3TR
SI3407DV-T1-GE3-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFZ34
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
IRL510SPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
SI6435ADQ-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
