Numéro de produit du fabricant:
SI2392DS-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI2392DS-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Description détaillée:
N-Channel 100 V 3.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23
Inventaire:
12917398
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SOUMETTRE
SI2392DS-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
126mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
196 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
SI2392
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI2392DS-T1-GE3TR
SI2392DS-T1-GE3DKR
SI2392DS-T1-GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI2392ADS-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2773
NUMÉRO DE PIÈCE
SI2392ADS-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.14
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
FDN8601
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
20024
NUMÉRO DE PIÈCE
FDN8601-DG
PRIX UNITAIRE
0.35
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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