Numéro de produit du fabricant:
SI2335DS-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI2335DS-T1-E3-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Description détaillée:
P-Channel 12 V 3.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventaire:
12914626
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SOUMETTRE
SI2335DS-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
51mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1225 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
750mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
SI2335
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI2335DST1E3
SI2335DS-T1-E3DKR
SI2335DS-T1-E3CT
SI2335DS-T1-E3-DG
SI2335DS-T1-E3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI2333DDS-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
16839
NUMÉRO DE PIÈCE
SI2333DDS-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.10
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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