Numéro de produit du fabricant:
SI2312BDS-T1-BE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI2312BDS-T1-BE3-DG
Description:
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 20 V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventaire:
8986 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12977847
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SOUMETTRE
SI2312BDS-T1-BE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
31mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
750mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SI2312BDS-T1-BE3TR
742-SI2312BDS-T1-BE3DKR
742-SI2312BDS-T1-BE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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