Numéro de produit du fabricant:
SI1988DH-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI1988DH-T1-E3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
Inventaire:
12919370
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SOUMETTRE
SI1988DH-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.3A
rds activé (max) @ id, vgs
168mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.1nC @ 8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
110pF @ 10V
Puissance - Max
1.25W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-70-6
Numéro de produit de base
SI1988
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI1988DH-T1-E3TR
SI1988DH-T1-E3DKR
SI1988DH-T1-E3CT
SI1988DHT1E3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDG1024NZ
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
450
NUMÉRO DE PIÈCE
FDG1024NZ-DG
PRIX UNITAIRE
0.19
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SI1922EDH-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SI1922EDH-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.10
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
FDG6301N
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
69606
NUMÉRO DE PIÈCE
FDG6301N-DG
PRIX UNITAIRE
0.11
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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