Numéro de produit du fabricant:
SI1972DH-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI1972DH-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
Inventaire:
12916059
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SOUMETTRE
SI1972DH-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.3A
rds activé (max) @ id, vgs
225mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.8nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
75pF @ 15V
Puissance - Max
1.25W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-70-6
Numéro de produit de base
SI1972
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI1972DHT1GE3
SI1972DH-T1-GE3DKR
SI1972DH-T1-GE3TR
SI1972DH-T1-GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDG8850NZ
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
16226
NUMÉRO DE PIÈCE
FDG8850NZ-DG
PRIX UNITAIRE
0.15
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3190LDW-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
16105
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3190LDW-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.05
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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