Numéro de produit du fabricant:
SI1433DH-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI1433DH-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
Description détaillée:
P-Channel 30 V 1.9A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Inventaire:
12914514
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SI1433DH-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
150mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
950mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-70-6
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base
SI1433
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDG316P
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
5479
NUMÉRO DE PIÈCE
FDG316P-DG
PRIX UNITAIRE
0.19
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
SI3443CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
IRLIZ14GPBF
MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
