Numéro de produit du fabricant:
SI1307EDL-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI1307EDL-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3
Description détaillée:
P-Channel 12 V 850mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Inventaire:
12916754
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SOUMETTRE
SI1307EDL-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
850mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
290mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
290mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-70-3
Emballage / Caisse
SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base
SI1307
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI1307EDL-T1-GE3CT
SI1307EDL-T1-GE3DKR
SI1307EDLT1GE3
SI1307EDL-T1-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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