SI1070X-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SI1070X-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI1070X-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Description détaillée:
N-Channel 30 V 1.2A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

Inventaire:

923 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12917620
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SOUMETTRE

SI1070X-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.55V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
385 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
236mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-89 (SOT-563F)
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Numéro de produit de base
SI1070

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SI1070X-T1-GE3CT
SI1070X-T1-GE3TR
SI1070X-T1-GE3DKR
SI1070XT1GE3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
SSM6K202FE,LF
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
21141
NUMÉRO DE PIÈCE
SSM6K202FE,LF-DG
PRIX UNITAIRE
0.12
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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