Numéro de produit du fabricant:
SI1058X-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI1058X-T1-E3-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6
Description détaillée:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventaire:
12912155
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SOUMETTRE
SI1058X-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.55V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.9 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
380 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
236mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-89 (SOT-563F)
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Numéro de produit de base
SI1058
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI1058X-T1-E3TR
SI1058X-T1-E3DKR
SI1058XT1E3
SI1058X-T1-E3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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