SI1016X-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SI1016X-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI1016X-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 485mA, 370mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

Inventaire:

21451 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12915155
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SI1016X-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
485mA, 370mA
rds activé (max) @ id, vgs
700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
250mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-89 (SOT-563F)
Numéro de produit de base
SI1016

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SI1016X-T1-GE3DKR
SI1016XT1GE3
SI1016X-T1-GE3CT
SI1016X-T1-GE3TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SI4943CDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC

vishay-siliconix

SI4936CDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC

vishay-siliconix

SI5935CDC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8

vishay-siliconix

SI4599DY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC