Numéro de produit du fabricant:
IRLI620G
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRLI620G-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 4A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 200 V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12910766
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SOUMETTRE
IRLI620G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
rds activé (max) @ id, vgs
800mOhm @ 2.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
360 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
IRLI620
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
*IRLI620G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX081N20
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
147
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX081N20-DG
PRIX UNITAIRE
0.38
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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