IRL630S
Numéro de produit du fabricant:

IRL630S

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRL630S-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaire:

12914012
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SOUMETTRE

IRL630S Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
rds activé (max) @ id, vgs
400mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IRL630

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
*IRL630S

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
RCJ120N20TL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
33
NUMÉRO DE PIÈCE
RCJ120N20TL-DG
PRIX UNITAIRE
0.44
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRL630SPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IRL630SPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.00
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
littelfuse

IXFA230N075T2

MOSFET N-CH 75V 230A TO263

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MOSFET P-CH 20V 10A 8SO

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MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO

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SI4858DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO