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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IRFSL9N60A
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFSL9N60A-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12909882
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SOUMETTRE
IRFSL9N60A Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
170W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262-3
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IRFSL9
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
*IRFSL9N60A
Q1383518
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
AOW11N60
FABRICANT
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
773
NUMÉRO DE PIÈCE
AOW11N60-DG
PRIX UNITAIRE
0.82
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFSL9N60APBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
900
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFSL9N60APBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.21
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
STD5NM60-1
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
77
NUMÉRO DE PIÈCE
STD5NM60-1-DG
PRIX UNITAIRE
1.09
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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