IRFRC20PBF
Numéro de produit du fabricant:

IRFRC20PBF

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFRC20PBF-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventaire:

6897 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12913267
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IRFRC20PBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
350 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IRFRC20

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
75

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SI2301BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

vishay-siliconix

SI1450DH-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70

littelfuse

IXFK80N65X2

MOSFET N-CH 650V 80A TO264

vishay-siliconix

IRL620SPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK