IRFI830G
Numéro de produit du fabricant:

IRFI830G

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFI830G-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaire:

12911777
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SOUMETTRE

IRFI830G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
610 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
IRFI830

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
Q932707
*IRFI830G

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
TK5A50D(STA4,Q,M)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
34
NUMÉRO DE PIÈCE
TK5A50D(STA4,Q,M)-DG
PRIX UNITAIRE
0.42
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
TK5A55D(STA4,Q,M)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
47
NUMÉRO DE PIÈCE
TK5A55D(STA4,Q,M)-DG
PRIX UNITAIRE
0.47
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFI830GPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
795
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFI830GPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.67
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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