Numéro de produit du fabricant:
IRFD113
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFD113-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Description détaillée:
N-Channel 60 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Inventaire:
12904839
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SOUMETTRE
IRFD113 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
800mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
800mOhm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-HVMDIP
Emballage / Caisse
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Numéro de produit de base
IRFD113
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFD113PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2315
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFD113PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.81
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
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