IRFBE30SPBF
Numéro de produit du fabricant:

IRFBE30SPBF

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFBE30SPBF-DG

Description:

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaire:

12885736
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SOUMETTRE

IRFBE30SPBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IRFBE30

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
*IRFBE30SPBF

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STB7NK80ZT4
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
4410
NUMÉRO DE PIÈCE
STB7NK80ZT4-DG
PRIX UNITAIRE
1.21
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540NSTRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7309
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540NSTRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.52
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FQB4N80TM
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
720
NUMÉRO DE PIÈCE
FQB4N80TM-DG
PRIX UNITAIRE
0.90
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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