Numéro de produit du fabricant:
IRFBC30PBF-BE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFBC30PBF-BE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
915 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12954006
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SOUMETTRE
IRFBC30PBF-BE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
660 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
74W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRFBC30
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
742-IRFBC30PBF-BE3
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FCH041N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
BTS240AHKSA1
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRLU024PBF
MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
