Numéro de produit du fabricant:
IRFB9N30A
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFB9N30A-DG
Description:
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 300 V 9.3A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12867786
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SOUMETTRE
IRFB9N30A Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
300 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
450mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
920 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
96W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRFB9
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
*IRFB9N30A
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP12NK30Z
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
508
NUMÉRO DE PIÈCE
STP12NK30Z-DG
PRIX UNITAIRE
0.99
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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