IRF9Z14STRR
Numéro de produit du fabricant:

IRF9Z14STRR

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF9Z14STRR-DG

Description:

MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Description détaillée:
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaire:

12842855
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SOUMETTRE

IRF9Z14STRR Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
270 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IRF9Z14

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
800

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRF9Z14STRLPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
766
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF9Z14STRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.67
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF5210STRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7933
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF5210STRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.26
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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