Numéro de produit du fabricant:
IRF634
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF634-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 250 V 8.1A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12910925
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SOUMETTRE
IRF634 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
450mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
770 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
74W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRF634
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IRF634IR
IRF634-DG
*IRF634
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX100N25
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
429
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX100N25-DG
PRIX UNITAIRE
0.86
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF634PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
6636
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF634PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.67
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
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MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
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