Numéro de produit du fabricant:
IRF610STRLPBF
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF610STRLPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
677 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12862953
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SOUMETTRE
IRF610STRLPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
140 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 36W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IRF610
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
742-IRF610STRLPBFCT
742-IRF610STRLPBFDKR
IRF610STRLPBF-DG
742-IRF610STRLPBFTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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