Numéro de produit du fabricant:
IRC644PBF
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRC644PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 14A TO220-5
Description détaillée:
N-Channel 250 V 14A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-5
Inventaire:
12911154
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRC644PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
280mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Current Sensing
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-5
Emballage / Caisse
TO-220-5
Numéro de produit de base
IRC644
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
*IRC644PBF
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFI720G
MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3
IRLBA3803
MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220
IXTX22N100L
MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247-3