Numéro de produit du fabricant:
3N163-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
3N163-E3-DG
Description:
MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
Description détaillée:
P-Channel 40 V 50mA (Ta) 375mW (Ta) Through Hole TO-72
Inventaire:
12912099
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SOUMETTRE
3N163-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
250Ohm @ 100µA, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10µA
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3.5 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-72
Emballage / Caisse
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Numéro de produit de base
3N163
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
200
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BS250P
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
BS250P-DG
PRIX UNITAIRE
0.30
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
3N163 TO-72 4L ROHS
FABRICANT
Linear Integrated Systems, Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
1118
NUMÉRO DE PIÈCE
3N163 TO-72 4L ROHS-DG
PRIX UNITAIRE
4.21
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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