50N06
Numéro de produit du fabricant:

50N06

Product Overview

Fabricant:

UMW

DiGi Electronics Numéro de pièce:

50N06-DG

Description:

TO-252 MOSFETS ROHS
Description détaillée:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 105W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventaire:

2114 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12988849
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SOUMETTRE

50N06 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
UMW
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
UMW
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
17mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2928 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
105W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
4518-50N06DKR
UMW 50N06
4518-50N06CT
4518-50N06TR
4518-UMW50N06TR-DG
4518-UMW50N06TR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
toshiba-semiconductor-and-storage

TPCP8011,LF

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-

infineon-technologies

IMT65R163M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

micro-commercial-components

MC3541A-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT-723

global-power-technologies-group

GP2T040A120H

SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L