1N60G
Numéro de produit du fabricant:

1N60G

Product Overview

Fabricant:

UMW

DiGi Electronics Numéro de pièce:

1N60G-DG

Description:

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Description détaillée:
N-Channel 600 V 1A (Tj) Surface Mount SOT-223

Inventaire:

2420 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12991435
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SOUMETTRE

1N60G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
UMW
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
UMW
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
150 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
4518-1N60GCT
4518-1N60GTR
4518-1N60GDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certification DIGI
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