Numéro de produit du fabricant:
UF3SC120016K4S
Product Overview
Fabricant:
Qorvo
DiGi Electronics Numéro de pièce:
UF3SC120016K4S-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 107A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventaire:
1531 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12967527
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SOUMETTRE
UF3SC120016K4S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Qorvo
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
107A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
12V
rds activé (max) @ id, vgs
21mOhm @ 50A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
218 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7824 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
517W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
UF3SC120016
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
2312-UF3SC120016K4S
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
ISL9N312AD3
N-CHANNEL POWER MOSFET
IGO60R070D1AUMA2
GAN HV
2SJ636-TL-E
PCH 4V DRIVE SERIES
