Numéro de produit du fabricant:
UF3SC065040D8S
Product Overview
Fabricant:
Qorvo
DiGi Electronics Numéro de pièce:
UF3SC065040D8S-DG
Description:
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Description détaillée:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)
Inventaire:
12967200
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SOUMETTRE
UF3SC065040D8S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Qorvo
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
12V
rds activé (max) @ id, vgs
58mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 12 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1500 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-DFN (8x8)
Emballage / Caisse
4-PowerTSFN
Numéro de produit de base
UF3SC065040
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
2312-UF3SC065040D8SDKR
2312-UF3SC065040D8STR
2312-UF3SC065040D8SCT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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