Numéro de produit du fabricant:
UF3SC065040B7S
Product Overview
Fabricant:
Qorvo
DiGi Electronics Numéro de pièce:
UF3SC065040B7S-DG
Description:
650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Description détaillée:
N-Channel 650 V 43A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventaire:
8477 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12949148
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SOUMETTRE
UF3SC065040B7S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Qorvo
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
43A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
12V
rds activé (max) @ id, vgs
52mOhm @ 30A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 12 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1500 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
195W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
2312-UF3SC065040B7SDKR
2312-UF3SC065040B7SCT
2312-UF3SC065040B7STR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP2021UFDE-13
MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
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