UF3C120150B7S
Numéro de produit du fabricant:

UF3C120150B7S

Product Overview

Fabricant:

Qorvo

DiGi Electronics Numéro de pièce:

UF3C120150B7S-DG

Description:

1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Inventaire:

3054 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12983938
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

UF3C120150B7S Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Qorvo
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
12V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 5A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25.7 nC @ 12 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
738 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
800
Autres noms
2312-UF3C120150B7SCT
2312-UF3C120150B7SDKR
2312-UF3C120150B7STR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J377R,LXHF

AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J378R,LXHF

AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F

nexperia

PMPB07R3ENX

PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-

panjit

PJX8856_R1_00001

MOSFET N-CH 20V SOT-563