Numéro de produit du fabricant:
UF3C120080B7S
Product Overview
Fabricant:
Qorvo
DiGi Electronics Numéro de pièce:
UF3C120080B7S-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 28.8A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventaire:
4979 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12983074
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SOUMETTRE
UF3C120080B7S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Qorvo
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
28.8A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
105mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 12 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
754 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
190W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numéro de produit de base
UF3C120080
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
2312-UF3C120080B7STR
2312-UF3C120080B7SCT
2312-UF3C120080B7SDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FQB25N33TM-F085
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